Interfacial N Vacancies in GaN/(Al,Ga)N/GaN Heterostructures

Vera Prozheeva, Ilja Makkonen, Haoran Li, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Filip Tuomisto

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

19 Sitaatiot (Scopus)
151 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We show that N-polar GaN/(Al,Ga)N/GaN heterostructures exhibit significant N deficiency at the bottom (Al,Ga)N/GaN interface, and that these N vacancies are responsible for the trapping of holes observed in unoptimized N-polar GaN/(Al,Ga)N/GaN high electron mobility transistors. We arrive at this conclusion by performing positron annihilation experiments on GaN/(Al,Ga)N/GaN heterostructures of both N and Ga polarity, as well as state-of-the-art theoretical calculations of the positron states and positron-electron annihilation signals. We suggest that the occurrence of high interfacial N vacancy concentrations is a universal property of nitride semiconductor heterostructures at net negative polarization interfaces.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli044034
Sivut1-7
Sivumäärä7
JulkaisuPhysical Review Applied
Vuosikerta13
Numero4
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - huhtik. 2020
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Interfacial N Vacancies in GaN/(Al,Ga)N/GaN Heterostructures'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä