Integrated circuit process control monitoring (PCM) data and wafer yield analysed by using synchrotron x-ray topographic measurements

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

  • M. Karilahti
  • T. Tuomi
  • P.J. McNally

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut45-55
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Numero18
TilaJulkaistu - 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • integrated circuits, silicon, synchrotron x-ray topography, yield

ID: 4151796