Integrated 2.4 GHz class-E CMOS power amplifier

V. Saari*, P. Juurakko, J. Ryynänen, K. Halonen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    15 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    An integrated two-stage class-E power amplifier operating at the 2.4 GHz frequency range is described. The implemented power amplifier is capable of providing 21.3 dBm output power with power added efficiency of 40 % and gain of 14.3 dB at 2.4 GHz. The drain efficiency of the class-E power stage is 55 % at 21.3 dBm power. The power amplifier uses 3.3 V supply voltage and was fabricated with 0.18 μm CMOS technology. The linear gain is 23.8 dB and the chip area 0.43 mm2.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoDigest of Papers - IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
    ToimittajatA. Jerng
    Sivut645-648
    Sivumäärä4
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2005
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
    TapahtumaIEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium - Long Beach, Yhdysvallat
    Kesto: 12 kesäkuuta 200514 kesäkuuta 2005

    Conference

    ConferenceIEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
    LyhennettäRFIC
    MaaYhdysvallat
    KaupunkiLong Beach
    Ajanjakso12/06/200514/06/2005

    Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Integrated 2.4 GHz class-E CMOS power amplifier'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä