In-situ optical reflectance and synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial dilute GaAsN on GaAs

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

  • Outi Reentila
  • A. Lankinen
  • M. Mattila
  • A. Saynatjoki
  • T.O. Tuomi
  • Harri Lipsanen

  • L. "O'Reilly"
  • P.J. McNally

Organisaatiot

  • Dublin City University

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut137-142
Sivumäärä6
JulkaisuJournal of Materials Science: Materials in Electronics
Vuosikerta19
Numero2
TilaJulkaistu - helmikuuta 2008
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • dilute nitride, movpe, synchrotron topography

ID: 3555374