InSb Nanowire Direct Growth on Plastic for Monolithic Flexible Device Fabrication

Vladislav Khayrudinov*, Tomi Koskinen, Kacper Grodecki, Krzysztof Murawski, Małgorzata Kopytko, Lide Yao, Hua Jiang, Ilkka Juhani Tittonen, Harri Lipsanen, Tuomas Haggren

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

18 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We report direct growth of InSb nanowires (NWs) and monolithic device fabrication on flexible plastic substrates. The nanowires were grown using metal–organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) in self-catalyzed mode. The InSb NWs are shown to form in the zinc-blende crystal structure and to exhibit strong photoluminescence at room temperature. The NW array light-trapping properties are evidenced by reflectance that is significantly reduced compared to bulk material. Finally, the InSb NWs are used to demonstrate a metal–semiconductor–metal photoresistor directly on the flexible plastic substrate. The results are believed to advance the integration of III–V nanowires to flexible devices, and infrared photodetectors in particular.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut539-545
Sivumäärä7
JulkaisuACS Applied Electronic Materials
Vuosikerta4
Numero1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 25 tammik. 2022
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'InSb Nanowire Direct Growth on Plastic for Monolithic Flexible Device Fabrication'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä