InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

  • Optogan Oy

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut3152-3156
Sivumäärä5
JulkaisuCrystEngComm
Vuosikerta12
Numero10
TilaJulkaistu - 2010
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 748361