In(Ga)As quantum dots on Ge substrate

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut349-352
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Materials Science: Materials in Electronics
Vuosikerta14
Numero5
TilaJulkaistu - toukokuuta 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • germanium, InAs, MOVPE, quantum dot

ID: 4146406