Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Auassisted MOVPE

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • A.D. Bouravleuv
  • N.V. Sibirev
  • G. Statkute
  • G.E. Cirlin
  • Harri Lipsanen

  • V.G. Duborovskii

Organisaatiot

  • RAS - Ioffe Physico Technical Institute
  • St. Petersburg State Polytechnical University
  • Institute for Analytical Instrumentation

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1676-1682
Sivumäärä7
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta312
Numero10
TilaJulkaistu - 1 toukokuuta 2010
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • gaAs nanowires, MOVPE, vapor-–liqui-d–solid mechanism

ID: 727330