Influence of silicon doping on vacancies and optical properties of Al(x)Ga(1-x)N thin films

Jonatan Slotte, Filip Tuomisto, K. Saarinen, C.G. Moe, Stacia Keller, S.P. DenBaars

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

19 Sitaatiot (Scopus)
163 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The authors have used positron annihilation spectroscopy and photoluminescence measurements to study the influence of silicon doping on vacancy formation in AlGaN:Si structures. The results show a correlation between the Doppler broadening measurements and the intensity from 510nm photoluminescence transition. The reduction in the W parameter when the [Si]∕[Al+Ga] fraction in the gas phase is above 3×10−4 indicates that the positrons annihilate in an environment where less Ga 3d electrons are present, i.e., they are trapped in group-III vacancies. The observation of vacancies at these silicon concentrations coincides with the onset of the photoluminescence transition at 510nm.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli151908
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta90
Numero15
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • AlGaN
  • optical properties
  • photoluminescence
  • positron annihilation
  • vacancies

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Influence of silicon doping on vacancies and optical properties of Al(x)Ga(1-x)N thin films'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä