InAs pixel matrix detector structures fabricated by diffusion of Zn utilising metal-organic vapour phase epitaxy

Antti Säynätjoki, Pasi Kostamo, Jaakko Sormunen, Juha Riikonen, Aapo Lankinen, Harri Lipsanen, H. Andersson, K. Banzuzi, S. Nenonen, H. Sipilä, S. Vaijärvi

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    TilaJulkaistu - 2005
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Julkaisusarja

    NimiThe International Workshop on Radiation Imaging Detectors, Grenoble, France, 4-7 July

    Tutkimusalat

    • imaging detectors
    • Indium arsenide
    • MOVPE

    Siteeraa tätä

    Säynätjoki, A., Kostamo, P., Sormunen, J., Riikonen, J., Lankinen, A., Lipsanen, H., ... Vaijärvi, S. (2005). InAs pixel matrix detector structures fabricated by diffusion of Zn utilising metal-organic vapour phase epitaxy. (The International Workshop on Radiation Imaging Detectors, Grenoble, France, 4-7 July).