InAs Nanowire with Epitaxial Aluminum as a Single-Electron Transistor with Fixed Tunnel Barriers

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Copenhagen

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli054017
Sivut1-7
JulkaisuPhysical Review Applied
Vuosikerta6
TilaJulkaistu - 28 marraskuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 9615766