InAs island-to-ring transformation by a partial capping layer

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut5077-5080
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta310
Numero23
TilaJulkaistu - 2008
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • indium arsenide, MOVPE, quantum ring, self-assemble

ID: 3558634