In Situ Positron Annihilation Spectroscopy Analysis on Low-Temperature Irradiated Semiconductors, Challenges and Possibilities

Jonatan Slotte*, Simo Kilpeläinen, Natalie Segercrantz, Kenichiro Mizohata, Jyrki Räisänen, Filip Tuomisto

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)
113 Lataukset (Pure)

Abstrakti

A unique experimental setup at the Accelerator Laboratory of the University of Helsinki enables in situ positron annihilation spectroscopy (PAS) analysis on ion irradiated samples. In addition, the system enables temperature control (10–300 K) of the sample both during irradiation and during subsequent positron annihilation measurements. Using such a system for defect identification and annealing studies comes with a plethora of possibilities for elaborate studies. However, the system also poses some restrictions and challenges to these possibilities, both related to irradiation and to the PAS analysis. This review tries to address these issues.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli2000232
Sivumäärä6
JulkaisuPhysica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Vuosikerta218
Numero1
Varhainen verkossa julkaisun päivämäärä2020
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - tammik. 2021
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'In Situ Positron Annihilation Spectroscopy Analysis on Low-Temperature Irradiated Semiconductors, Challenges and Possibilities'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä