Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

In Situ Passivation of Near-Surface A1xGa1-xAs/GaAs Quantum Wells

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    JulkaisupaikkaBerlin, Germany
    Sivut1111-1114
    TilaJulkaistu - 1996
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistu kehittämis- tai tutkimusraportti taikka -selvitys

    Julkaisusarja

    NimiThe Physics of Semiconductors. Proceedings of 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, 1996

    Tutkimusalat

    • optoelectronics
    • semiconductors

    Siteeraa tätä