Impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field

V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, V. Yu Panevin, A. N. Sofronov, G. A. Melentyev, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, A. V. Andrianov, A. O. Zakharyin, S. Suihkonen, Pekka Törmä, M. Ali, H. Lipsanen

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    27 Sitaatiot (Scopus)
    148 Lataukset (Pure)

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Chemistry

    Material Science