Impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field

V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, V. Yu Panevin, A. N. Sofronov, G. A. Melentyev, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, A. V. Andrianov, A. O. Zakharyin, S. Suihkonen, Pekka Törmä, M. Ali, H. Lipsanen

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    28 Sitaatiot (Scopus)
    156 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    We report on the observation and experimental studies of impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field. The terahertz electroluminescence is observed in a wide range of doping levels (at noncompensated donor density from 4.5× 1016 to 3.4× 1018 cm-3). Spectra of terahertz luminescence and photoconductivity are studied by means of Fourier transform spectrometry. Distinctive features of the spectra can be assigned to intracenter electron transitions between excited and ground states of silicon and oxygen donors and to hot electron transitions to the donor states.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli123523
    Sivut1-5
    Sivumäärä5
    JulkaisuJournal of Applied Physics
    Vuosikerta106
    Numero12
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2009
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä