Implantation Defects and n-type Doping in Ge and Ge rich SiGe

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • A.R. Peaker
  • V.P. Markevich
  • B. Hamilton
  • I.D. Hawkins
  • J. Slotte
  • K. Kuitunen
  • F. Tuomisto
  • A. Satta
  • E. Simoen
  • N. Abrosimov

Organisaatiot

  • University of Manchester
  • Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum
  • Leibniz Institute for Crystal Growth

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut152-154
Sivumäärä3
JulkaisuThin Solid Films
Vuosikerta517
Numero1
TilaJulkaistu - 3 marraskuuta 2008
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • Ge, SiGe, vacancy defects

ID: 3365920