Identification of the VAl-ON defect complex in AlN single crystals

J.-M. Mäki*, I. Makkonen, F. Tuomisto, A. Karjalainen, S. Suihkonen, J. Räisänen, T.Yu. Chemekova, Yu.N. Makarov

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

43 Sitaatiot (Scopus)
203 Lataukset (Pure)

Abstrakti

In this Rapid Communication, we report positron annihilation results on in-grown and proton irradiation-induced vacancies and their decoration in aluminium nitride (AlN) single crystals. By combining positron lifetime and coincidence Doppler measurements with ab initio calculations, we identify in-grown VAl-ON complexes in the concentration range 1018 cm-3 as the dominant form of VAl in the AlN single crystals, while isolated VAl were introduced by irradiation. Further, we identify the UV absorption feature at around 360 nm that involves V Al. © 2011 American Physical Society.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli081204
Sivut1_5
Sivumäärä4
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta84
Numero8
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 29 elokuuta 2011
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • absorption
  • AlN
  • positron
  • vacancy

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Identification of the VAl-ON defect complex in AlN single crystals'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä