Hybrid Monte Carlo-molecular dynamics algorithm for the study of islands and step edges on semiconductor surfaces: Application to Si/Si(001)

Francesca Tavazza, L. Nurminen, David P. Landau, Antti Kuronen, Kimmo Kaski

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    11 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    A classical, hybrid Monte Carlo-molecular dynamic (MC-MD) algorithm for the study of phenomena like two-dimensional (2D) island stability or step-edge evolution on semiconductor surfaces is introduced. The advantages of working off lattice and utilizing bulk-fitted potentials are also presented. It is based on the introduction of collective moves in the MC algorithm. The algorithm is used in the analysis of 2D Si islands on Si(001). The results on early stages of island stability, island formation versus system size and temperature and step-edge evolution are presented.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli036701
    Sivut036701
    Sivumäärä8
    JulkaisuPhysical Review E
    Vuosikerta70
    Numero3 Part 2
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2004
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Hybrid Monte Carlo-molecular dynamics algorithm for the study of islands and step edges on semiconductor surfaces: Application to Si/Si(001)'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä