Highly sensitive and broadband carbon nanotube radio-frequency single-electron transistor

S.E.S. Andresen, F. Wu, R. Danneau, D. Gunnarsson, P. J. Hakonen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

13 Sitaatiot (Scopus)
9 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We have investigated radio-frequency single-electron transistor operation of single-walled carbon nanotube quantum dots in the strong tunneling regime. At a temperature of 4.2 K and with a carrier frequency of 754.2 MHz, we reach a charge sensitivity of 2.3×10−6e/Hz⎯⎯⎯⎯⎯√ over a bandwidth of 85 MHz. Our results indicate a gain-bandwidth product of 3.7×1013 Hz(3/2)/e, which is by one order of magnitude better than those for typical radio-frequency single-electron transistors.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli033715
Sivut1-4
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta104
Numero3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2008
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • carbon nanotube
  • single-electron transistor (SET)

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Highly sensitive and broadband carbon nanotube radio-frequency single-electron transistor'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä