Highly individual SWCNTs for high performance thin film electronics

Antti Kaskela*, Patrik Laiho, Norihiro Fukaya, Kimmo Mustonen, Toma Susi, Hua Jiang, Nikolay Houbenov, Yutaka Ohno, Esko I. Kauppinen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

36 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We report a continuous floating catalyst chemical vapor deposition synthesis of highly individual single-walled carbon nanotubes (SWCNT) for high performance transparent conducting films (TCF). Active feedback dilution of ferrocene-based catalyst vapor leads to an almost complete elimination of SWCNT bundling and a substantial increase in SWCNT lengths via the suppression of bundling-induced growth termination. The fabricated uniform TCFs exhibit sheet resistances of 89 Ω/sq. at 90% transmittance. This was further improved by micro-patterning, resulting in a sheet resistance of 69 Ω/sq. at 97% transmittance - the highest reported for any carbon nanotube TCF - and highly competitive with commercial indium-tin-oxide-TCFs. Furthermore, we demonstrate that thin film transistors fabricated from these highly individual SWCNTs reach charge carrier mobilities up to 100 cm2 V-1s-1 and ON/OFF-ratios up to 106.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut228-234
Sivumäärä7
JulkaisuCarbon
Vuosikerta103
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 heinäkuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Highly individual SWCNTs for high performance thin film electronics'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä