High-yield of memory elements from carbon nanotube field-effect transistors with atomic layer deposited gate dielectric

Marcus Rinkiö, Andreas Johansson*, Marina Y. Zavodchikova, J. Jussi Toppari, Albert G. Nasibulin, Esko I. Kauppinen, Päivi Törmä

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

19 Sitaatiot (Scopus)
166 Lataukset (Pure)

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'High-yield of memory elements from carbon nanotube field-effect transistors with atomic layer deposited gate dielectric'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Physics & Astronomy