High-yield of memory elements from carbon nanotube field-effect transistors with atomic layer deposited gate dielectric

Marcus Rinkiö, Andreas Johansson*, Marina Y. Zavodchikova, J. Jussi Toppari, Albert G. Nasibulin, Esko I. Kauppinen, Päivi Törmä

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

19 Sitaatiot (Scopus)
164 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Carbon nanotube field-effect transistors (CNT FETs) have been proposed as possible building blocks for future nano-electronics. But a challenge with CNT FETs is that they appear to randomly display varying amounts of hysteresis in their transfer characteristics. The hysteresis is often attributed to charge trapping in the dielectric layer between the nanotube and the gate. We find that the memory effect can be controlled by carefully designing the gate dielectric in nm-thin layers. By using atomic layer depositions (ALD) of HfO2 and TiO2 in a triple-layer configuration, we achieve to our knowledge the first CNT FETs with consistent and narrowly distributed memory effects in their transfer characteristics. The study includes 94 CNT FET samples, providing a good basis for statistics on the hysteresis seen in five different CNT-gate configurations.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli103019
Sivut1-16
Sivumäärä16
JulkaisuNew Journal of Physics
Vuosikerta10
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 16 lokakuuta 2008
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • carbon nanotubes

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'High-yield of memory elements from carbon nanotube field-effect transistors with atomic layer deposited gate dielectric'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä