High pressure annealing of HVPE GaN free-standing films: redistribution of defects and stress

T. Paskova, T. Suski, M. Bockowski, P.P. Paskov, V. Darakchieva, B. Monemar, F. Tuomisto, K. Saarinen, N. Ashkenov, M. Schubert, C. Roder, D. Hommel

Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

AlkuperäiskieliEnglanti
SivutE8.18
TilaJulkaistu - 2005
OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

Julkaisusarja

Nimi2004 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, November 29 - December 3, 2004

Tutkimusalat

  • annealing
  • defects
  • freestanding GaN
  • high pressure

Siteeraa tätä