High-index-contrast Optical Waveguides on Silicon

Antti Säynätjoki*, Sanna Arpiainen, Jouni Ahopelto, Harri Lipsanen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    3 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    Optical waveguides with a high refractive index contrast were fabricated on silicon-on-insulator (SOI) and polysilicon. The attenuation of 2dB/cm was achieved for SOI, and 11 dB/cm for hydrogenated polysilicon waveguides. Unlike in SOI waveguides, where the main contribution to attenuation is due to the surface scattering, a significant part of attenuation in polysilicon originates from absorption and scattering in the material.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoPhysics of Semiconductors, Parts A and B
    ToimittajatJ Menendez, CG VandeWalle
    KustantajaAIP
    Sivut1537-1538
    Sivumäärä2
    ISBN (painettu)0735402574
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2005
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
    TapahtumaInternational Conference on the Physics of Semiconductors - Flagstaff, Yhdysvallat
    Kesto: 26 heinäkuuta 200430 heinäkuuta 2004
    Konferenssinumero: 27

    Julkaisusarja

    NimiAIP Conference Proceedings
    KustantajaAIP
    Vuosikerta772
    ISSN (painettu)0094-243X

    Conference

    ConferenceInternational Conference on the Physics of Semiconductors
    LyhennettäICPS
    MaaYhdysvallat
    KaupunkiFlagstaff
    Ajanjakso26/07/200430/07/2004

    Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'High-index-contrast Optical Waveguides on Silicon'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä

    Säynätjoki, A., Arpiainen, S., Ahopelto, J., & Lipsanen, H. (2005). High-index-contrast Optical Waveguides on Silicon. teoksessa J. Menendez, & CG. VandeWalle (Toimittajat), Physics of Semiconductors, Parts A and B (Sivut 1537-1538). (AIP Conference Proceedings ; Vuosikerta 772). AIP. https://doi.org/10.1063/1.1994701