Growth temperature dependence of the electrical and structural properties of epitaxial graphene on SiC (0001)

E. Vesapuisto, W. Kim, S. Novikov, H. Lipsanen, P. Kuivalainen

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

13 Sitaatiot (Scopus)

Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1908-1914
Sivumäärä	7
Julkaisu	PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS
Vuosikerta	248
Numero	8
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1002/pssb.201046368
Tila	Julkaistu - elok. 2011
OKM-julkaisutyyppi	A1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Pääsy asiakirjaan

@article{bb0b1f9a9d4745a789259b85f4ff64fa,

title = "Growth temperature dependence of the electrical and structural properties of epitaxial graphene on SiC (0001)",

author = "E. Vesapuisto and W. Kim and S. Novikov and H. Lipsanen and P. Kuivalainen",

year = "2011",

month = aug,

doi = "10.1002/pssb.201046368",

language = "English",

volume = "248",

pages = "1908--1914",

journal = "PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS",

issn = "0370-1972",

publisher = "WILEY-VCH VERLAG",

number = "8",

}

TY - JOUR

T1 - Growth temperature dependence of the electrical and structural properties of epitaxial graphene on SiC (0001)

AU - Vesapuisto, E.

AU - Kim, W.

AU - Novikov, S.

AU - Lipsanen, H.

AU - Kuivalainen, P.

PY - 2011/8

Y1 - 2011/8

U2 - 10.1002/pssb.201046368

DO - 10.1002/pssb.201046368

M3 - Article

VL - 248

SP - 1908

EP - 1914

JO - PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS

JF - PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS

SN - 0370-1972

IS - 8

ER -