Growth of self-assembled GaIn(N)As quantum dots by atmospheric pressure metal-organic vapor phase epitaxy

Tutkimustuotos: Työpaperi

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

Julkaisusarja

Nimi14th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2002), Stockholm, Sweden, May 12-16, 2002

    Tutkimusalat

  • compound semiconductor, diluted nitride, metal-organic vapor phase epitaxy

ID: 4131730