Growth of CuS thin films by atomic layer epitaxy as material for gas sensors

J. Johansson, J. Kostamo, L. Niinistö

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut31
    TilaJulkaistu - 2000
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistu kehittämis- tai tutkimusraportti taikka -selvitys

    Julkaisusarja

    NimiFinnish Chemical Congress and Exhibition, Helsinki, Finland, November 15-17., 2000.
    KustantajaThe Association of Finnish Chemical Societies

    Tutkimusalat

    • ammonia
    • atomic layer epitaxy
    • porous silicon
    • solid state gas sensor

    Siteeraa tätä