Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (110)

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut18-24
Sivumäärä7
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta309
Numero1
TilaJulkaistu - 1 marraskuuta 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • GaAs (110), MOVPE, near-surface quantum well, surface passivation

ID: 3401302