Growth and characterization of InAsN/InAs multi quantum well for infrared device applications

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoCost Action MP0805 Meeting, Istanbul, Turkey, 12-13 April, 2010
TilaJulkaistu - 2010
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

    Tutkimusalat

  • dilute nitride, infrared region, metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)

ID: 554977