Growth and characterization of doped A1xGa1-x As layers

M. Tuominen

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    JulkaisupaikkaEspoo
    Sivut23-25
    TilaJulkaistu - 1993
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Julkaisusarja

    NimiOptoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology
    NumeroTKK-F-C148

    Tutkimusalat

    • molecular beam epitaxy (MBE)
    • semiconductors

    Siteeraa tätä