Growth and characterisation of InGaN/GaN multi-quantum wells on etched c- and a-plane GaN nanopillars

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, July 13-18, 2014
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

ID: 554796