Graphene/Bi2Se3 Heterojunction Phototransistor Using Photogating Effect Modulated by Tunable Tunneling Resistance

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Mixed-dimensional van der Waals heterostructures [1] are a very promising platform for the next generation of nanoelectronics and nanophotonics, for example, high-sensitivity mid-infrared light detection. Here, we report the versatile functionalities revealed in a hybrid device consisting of two-dimensional graphene and three-dimensional topological insulator.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivumäärä1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 21 kesäkuuta 2021
OKM-julkaisutyyppiEi oikeutettu
TapahtumaEuropean Conference on Lasers and Electro-Optics and the European Quantum Electronics Conference - Munich, Saksa
Kesto: 21 kesäkuuta 202125 kesäkuuta 2021

Conference

ConferenceEuropean Conference on Lasers and Electro-Optics and the European Quantum Electronics Conference
LyhennettäCLEO/Europe-EQEC
Maa/AlueSaksa
KaupunkiMunich
Ajanjakso21/06/202125/06/2021

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Graphene/Bi2Se3 Heterojunction Phototransistor Using Photogating Effect Modulated by Tunable Tunneling Resistance'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä