Graphene Oxide as a Promising Hole Injection Layer for MoS2-Based Electronic Devices

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • Tiziana Musso
  • Priyank V. Kumar
  • Adam Foster

  • Jeffrey C. Grossman

Organisaatiot

  • Massachusetts Institute of Technology

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut11432–11439
Sivumäärä8
JulkaisuACS Nano
Vuosikerta8
Numero11
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • DFT, Graphene

ID: 790340