Giant magnetocurrent exceeding 3400% in magnetic tunnel transistors with spin-valve base layers

Sebastiaan van Dijken*, Xin Jiang, Stuart S P Parkin

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

72 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

The magnetic sensitivities of the collector current in a three-terminal magnetic tunnel transistor device with spin-valve matellic base layers were investigated. It was observed that the giant magnetocurrents exceeding 3400% was produced from strong spin-dependent filtering of electrons traversing perpendicular to the spin-valve layers at energies above the Fermi energy. It was found that the output current of the device could be tuned into the microampere regime by increasing the bias voltage across the tunnel barrier.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut951-953
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta83
Numero5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 4 elokuuta 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Giant magnetocurrent exceeding 3400% in magnetic tunnel transistors with spin-valve base layers'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä