GaInNAs quantum well structures for 1.55 µm emission on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut631-636
Sivumäärä6
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta234
Numero4
TilaJulkaistu - helmikuuta 2002
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • semiconductors, synchrotron X-ray topography

ID: 4148104