GaAs and AlGaAs Reactive Ion Etching for High-Speed HEMT IC

V. Stepanov, E. Siren, A. Heinämäki

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko15th Nordic Semiconductor Meeting, Hämeenlinna, June 8-11,1992
Sivut357-360
TilaJulkaistu - 1992
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

Tutkimusalat

  • AlGaAs
  • GaAs
  • HEMT
  • RIE

Siteeraa tätä