Ga vacancies and electrical compensation in β-Ga 2 O 3 thin films studied with positron annihilation spectroscopy

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Leibniz Institute for Crystal Growth

Kuvaus

We have applied positron annihilation spectroscopy to study vacancy-type defects in unintentionally doped and Si and Sn doped β-Ga 2 O 3 homoepitaxial thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). We detect Ga vacancy related defects at high concentrations in semi-insulating and highly resistive material, while conductive (ntype) material exhibits very low Ga vacancy concentrations. These findings show that Ga vacancies can act as efficient electrical compensators for n-type conductivity, but their concentrations can be suppressed by controlling the growth environment, leading to efficient n-type doping. We also note the strong anisotropy of the positron annihilation signals and give recommendation for presenting positron data obtained in β-Ga 2 O 3 .

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoOxide-Based Materials and Devices X
ToimittajatDavid J. Rogers, Ferechteh H. Teherani, David C. Look
TilaJulkaistu - 1 tammikuuta 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaOxide-Based Materials and Devices - San Francisco, Yhdysvallat
Kesto: 3 helmikuuta 20197 helmikuuta 2019
Konferenssinumero: 10

Julkaisusarja

NimiProceedings of SPIE
KustantajaSPIE
Vuosikerta10919
ISSN (painettu)0277-786X
ISSN (elektroninen)1996-756X

Conference

ConferenceOxide-Based Materials and Devices
MaaYhdysvallat
KaupunkiSan Francisco
Ajanjakso03/02/201907/02/2019

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 34203988