Formation of vacancy-impurity complexes in highly As and P doped Si

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • V. Ranki
  • K. Saarinen

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut765-768
JulkaisuPhysica B
Vuosikerta340-342
TilaJulkaistu - 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • compensation, defect, silicon, vacancy

ID: 3411849