Formation of thermal vacancies in highly As and P doped Si

V. Ranki, K. Saarinen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

53 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysical Review Letters
Vuosikerta93
TilaJulkaistu - 2004
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • positron

Siteeraa tätä