First-principles simulation of oxygen defects in silicon

R.M. Nieminen, M. Pesola, Y.-J. Lee

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaChapterScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoComputer Simulation Studies in Condensed Matter Physics XIII
ToimittajatS.P.Lewis D.P.Landau
JulkaisupaikkaHeidelberg
Sivut101-110
TilaJulkaistu - 2000
OKM-julkaisutyyppiA3 Kirjan osa tai toinen tutkimuskirja

Siteeraa tätä

Nieminen, R. M., Pesola, M., & Lee, Y-J. (2000). First-principles simulation of oxygen defects in silicon. teoksessa S. P. L. D.P.Landau (Toimittaja), Computer Simulation Studies in Condensed Matter Physics XIII (Sivut 101-110).