Finite- vs. infinite-source emitters in silicon photovoltaics: Effect on transition metal gettering

Hannu S. Laine, Ville Vähänissi, Zhengjun Liu, Haibing Huang, Ernesto Magana, Ashley E. Morishige, Nabil Khelifati, Sebastian Husein, Barry Lai, Mariana Bertoni, Djoudi Bouhafs, Tonio Buonassisi, David P. Fenning, Hele Savin

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Control of detrimental metal impurities is crucial to silicon solar cell performance. Traditional silicon solar cell emitters are diffused in an infinite-source regime and are known to cause strong point defect segregation towards the emitter and thus enhance bulk minority carrier diffusion length. With the advent of ion-implantation and chemical vapor deposition (CVD) glasses, finite-source diffused emitters are attracting interest. This contribution aims to increase their adoption by elucidating the dominant gettering mechanisms present in finite-source diffused emitters. Our findings indicate that infinite-source diffusion is critical for effective segregation gettering, but that high enough surface phosphorus concentration can activate segregation gettering via finite-source diffusion as well. In the case of ion-implanted emitters, the traditional segregation gettering may be considerably enhanced by impurity precipitation in the implanted layer.

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2016
KustantajaIEEE
Sivut678-680
Sivumäärä3
Vuosikerta2016-November
ISBN (elektroninen)9781509027248
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 18 marraskuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE Photovoltaic Specialists Conference - Portland, Yhdysvallat
Kesto: 5 kesäkuuta 201610 kesäkuuta 2016
Konferenssinumero: 43

Julkaisusarja

NimiConference record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
ISSN (painettu)0160-8371

Conference

ConferenceIEEE Photovoltaic Specialists Conference
LyhennettäPVSC
MaaYhdysvallat
KaupunkiPortland
Ajanjakso05/06/201610/06/2016

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Finite- vs. infinite-source emitters in silicon photovoltaics: Effect on transition metal gettering'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä