Fabrication of GaN Structures with Embedded Network of Voids Using Pillar Patterned GaN Templates

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut42-45
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta370
TilaJulkaistu - 1 toukokuuta 2013
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • defects, etching, MOCVD, nitrides, selective epitaxy

ID: 756514