Fabrication and characterization of small tunnel junctions through a thin dielectric membrane

A. Aassime*, A. J. Manninen, J. P. Pekola

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We show that a small tapered hole through a thin silicon nitride membrane provides a mask for tunnel junction structures. Our experiments imply, unlike in the conventional planar electron beam lithography, that tunnel junctions are well voltage biased in this structure with vanishingly small on-chip impedance. Our technique allows fabrication of double junctions, and even multijunction linear arrays, with small metallic islands in between.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2369-2371
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta73
Numero16
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1998
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Fabrication and characterization of small tunnel junctions through a thin dielectric membrane'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä