Experimental investigation of traps in THz Schottky diodes

Subash Khanal, Tero Kiuru, Heikki Seppä, Juha Mallat, Petri Piironen, Antti Räisänen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

In this paper, indications of charge trapping in THz Schottky diodes are investigated with various measurement techniques including current-voltage, capacitance and low-frequency noise measurements. GaAs diodes from various manufacturers are tested. For comparison purposes, results for two different diode samples are presented. Correlation between different measurement techniques is observed which indicate the presence of traps in measured Schottky diode samples. I-V and C-V measurements show some trapping behavior. However, it is also important to observe frequency dependency of the diode capacitance and low-frequency noise properties to closely monitor the charge trapping in small area Schottky diodes. Diode samples are measured in on-wafer environment using a probe station.

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2016 Global Symposium on Millimeter Waves, GSMM 2016 and ESA Workshop on Millimetre-Wave Technology and Applications
KustantajaIEEE
ISBN (elektroninen)9781509013487
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 27 kesäkuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
Tapahtuma9th Global Symposium on Millimeter-Waves (GSMM) & 7th ESA Workshop on Millimetre-Wave Technology and Applications - Aalto University, Espoo, Suomi
Kesto: 6 kesäkuuta 20168 kesäkuuta 2016
http://gsmm2016.aalto.fi/

Conference

Conference9th Global Symposium on Millimeter-Waves (GSMM) & 7th ESA Workshop on Millimetre-Wave Technology and Applications
LyhennettäGSMM
MaaSuomi
KaupunkiEspoo
Ajanjakso06/06/201608/06/2016
www-osoite

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Experimental investigation of traps in THz Schottky diodes'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä