Excellent silicon surface passivation using dimethylaluminium chloride as Al source for atomic layer deposited Al2O3

S. Li, Yameng Bao, Mikko I. Laitinen, T. Sajavaara, Matti Putkonen, Hele Savin

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

Alkuperäiskieli	Englanti
Sivut	1795-1799
Sivumäärä	5
Julkaisu	Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Vuosikerta	212
Numero	8
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1002/pssa.201431930
Tila	Julkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Pääsy asiakirjaan

@article{766f09afbab14d939c207026ab2cbcd6,

title = "Excellent silicon surface passivation using dimethylaluminium chloride as Al source for atomic layer deposited Al2O3",

author = "S. Li and Yameng Bao and Laitinen, {Mikko I.} and T. Sajavaara and Matti Putkonen and Hele Savin",

year = "2015",

doi = "10.1002/pssa.201431930",

language = "English",

volume = "212",

pages = "1795--1799",

journal = "Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science",

issn = "1862-6300",

publisher = "Wiley",

number = "8",

}

TY - JOUR

T1 - Excellent silicon surface passivation using dimethylaluminium chloride as Al source for atomic layer deposited Al2O3

AU - Li, S.

AU - Bao, Yameng

AU - Laitinen, Mikko I.

AU - Sajavaara, T.

AU - Putkonen, Matti

AU - Savin, Hele

PY - 2015

Y1 - 2015

U2 - 10.1002/pssa.201431930

DO - 10.1002/pssa.201431930

M3 - Article

SN - 1862-6300

VL - 212

SP - 1795

EP - 1799

JO - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

JF - Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

IS - 8

ER -