Evolution of E-centers during the annealing of Sb-doped Si0.8Ge0.2

S. Kilpeläinen, F. Tuomisto, J. Slotte, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

4 Sitaatiot (Scopus)
189 Lataukset (Pure)

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Evolution of E-centers during the annealing of Sb-doped Si<sub>0.8</sub>Ge<sub>0.2</sub>'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Chemical Compounds

Engineering & Materials Science

Physics & Astronomy