Evidence for low-energy ions influencing plasma-assisted atomic layer deposition of SiO2: Impact on the growth per cycle and wet etch rate

Karsten Arts, J. H. Deijkers, T. Faraz, Riikka Puurunen, Wilhelmus M.M. (Erwin) Kessels*, Harm C. M. Knoops

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

12 Sitaatiot (Scopus)
176 Lataukset (Pure)

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Evidence for low-energy ions influencing plasma-assisted atomic layer deposition of SiO2: Impact on the growth per cycle and wet etch rate'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Physics

Chemistry

Pharmacology, Toxicology and Pharmaceutical Science

Material Science

Neuroscience