Evaluation of some basic positron-related characteristics of SiC

G. Brauer, W. Anwand, E.M. Nicht, J. Kuriplach, M. Sob, N. Wagner, P.G. Coleman, M.J. Puska, T. Korhonen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

103 Sitaatiot (Scopus)
129 Lataukset (Pure)

Abstrakti

First-principles electronic structure and positron-state calculations for perfect and defected 3C- and 6H-SiC polytypes of SiC have been performed. Monovacancies and divacancies have been treated; the influence of lattice position and nitrogen impurities have been considered in the former case. Positron affinities and binding energies have been calculated; trends are discussed, and the results compared with recent atomic superposition method calculations. Experimental determination of the electron and positron work functions of the same 6H-SiC allows an assessment of the accuracy of the present first-principles calculations, and to suggest further improvements.
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2512-2517
Sivumäärä6
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta54
Numero4
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 heinäkuuta 1996
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • positron annihilation
  • SiC

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Evaluation of some basic positron-related characteristics of SiC'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä