Evaluation of critical thickness of GaP0.98N0.02 layer on GaP substrate by synchrotron X-ray diffraction topography

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • University of Hamburg

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut680-684
Sivumäärä5
JulkaisuThin Solid Films
Vuosikerta534
TilaJulkaistu - 1 toukokuuta 2013
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 961543